東軟載波單片機使用都需要了解什么，要注意什么-艾能微帶您了解東軟單片機
時間：2022-06-23| 作者：Admin
東軟載波 MCU 芯片使用注意事項
關(guān)于芯片的上/下電
東軟載波 MCU 芯片具有獨立電源管腳。當(dāng) MCU 芯片應(yīng)用在多電源供電系統(tǒng)時，應(yīng)先對 MCU 芯片上電，再對系統(tǒng) 其它部件上電；反之，下電時，先對系統(tǒng)其它部件下電，再對 MCU 芯片下電。若操作順序相反則可能導(dǎo)致芯片內(nèi) 部元件過壓或過流，從而導(dǎo)致芯片故障或元件退化。具體可參照芯片的數(shù)據(jù)手冊說明。
關(guān)于芯片的復(fù)位
東軟載波 MCU 芯片具有內(nèi)部上電復(fù)位。對于不同的快速上/下電或慢速上/下電系統(tǒng)，內(nèi)部上電復(fù)位電路可能失效， 建議用戶使用外部復(fù)位、下電復(fù)位、看門狗復(fù)位等，確保復(fù)位電路正常工作。在系統(tǒng)設(shè)計時，若使用外部復(fù)位電路， 建議采用三極管復(fù)位電路、RC 復(fù)位電路。若不使用外部復(fù)位電路，建議采用復(fù)位管腳接電阻到電源，或采取必要 的電源抖動處理電路或其它保護(hù)電路。具體可參照芯片的數(shù)據(jù)手冊說明。
關(guān)于芯片的時鐘
東軟載波 MCU 芯片具有內(nèi)部和外部時鐘源。內(nèi)部時鐘源會隨著溫度、電壓變化而偏移，可能會影響時鐘源精度； 外部時鐘源采用陶瓷、晶體振蕩器電路時，建議使能起振延時；使用 RC 振蕩電路時，需考慮電容、電阻匹配；采 用外部有源晶振或時鐘輸入時，需考慮輸入高/低電平電壓。具體可參照芯片的數(shù)據(jù)手冊說明。
關(guān)于芯片的初始化
東軟載波 MCU 芯片具有各種內(nèi)部和外部復(fù)位。對于不同的應(yīng)用系統(tǒng)，有必要對芯片寄存器、內(nèi)存、功能模塊等進(jìn) 行初始化，尤其是 I/O 管腳復(fù)用功能進(jìn)行初始化，避免由于芯片上電以后，I/O 管腳狀態(tài)的不確定情況發(fā)生。
關(guān)于芯片的管腳
東軟載波 MCU 芯片具有寬范圍的輸入管腳電平，建議用戶輸入高電平應(yīng)在 VIHMIN 之上，低電平應(yīng)在 VILMAX 之下。 避免輸入電壓介于 VIHMIN 和 VILMAX 之間，以免波動噪聲進(jìn)入芯片。對于未使用的輸入/輸出管腳，建議設(shè)置為輸入狀 態(tài)，并通過電阻接至電源或地，或設(shè)置為輸出狀態(tài)，輸出固定電平。對未使用的管腳處理因應(yīng)用系統(tǒng)而異，具體遵 循應(yīng)用系統(tǒng)的相關(guān)規(guī)定和說明。
關(guān)于芯片的 ESD 防護(hù)措施
東軟載波MCU芯片具有滿足工業(yè)級ESD標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)電路。建議用戶根據(jù)芯片存儲/應(yīng)用的環(huán)境采取適當(dāng)靜電防護(hù)措施。 應(yīng)注意應(yīng)用環(huán)境的濕度；建議避免使用容易產(chǎn)生靜電的絕緣體；存放和運輸應(yīng)在抗靜電容器、抗靜電屏蔽袋或?qū)щ?材料容器中；包括工作臺在內(nèi)的所有測試和測量工具必須保證接地；操作者應(yīng)該佩戴靜電消除手腕環(huán)手套，不能用 手直接接觸芯片等。
關(guān)于芯片的 EFT 防護(hù)措施
東軟載波 MCU 芯片具有滿足工業(yè)級 EFT 標(biāo)準(zhǔn)的保護(hù)電路。當(dāng) MCU 芯片應(yīng)用在 PCB 系統(tǒng)時，需要遵守 PCB 相關(guān) 設(shè)計要求，包括電源、地走線（包括數(shù)字/模擬電源分離，單/多點接地等等）、復(fù)位管腳保護(hù)電路、電源和地之間的 去耦電容、高低頻電路單獨分別處理以及單/多層板選擇等。
關(guān)于芯片的開發(fā)環(huán)境
東軟載波 MCU 芯片具有完整的軟/硬件開發(fā)環(huán)境，并受知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)。選擇上海東軟載波微電子有限公司或其指定 的第三方公司的匯編器、編譯器、編程器、硬件仿真器開發(fā)環(huán)境，必須遵循與芯片相關(guān)的規(guī)定和說明。
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